功率半導體器件

SiC芯片及器件:

SiC SBD芯片及器件

簡(jiǎn)介:

  • 具有高浪涌能力、正溫度系數、高耐壓等特點(diǎn)。

產(chǎn)品參數:

反向重復峰值電壓(V) 1200-3300
正向電流(A) 10-50
運行結溫(℃) -40-150

應用:

軌交、電網(wǎng)、光伏等。

SiC MOSFET芯片

簡(jiǎn)介:

  • 中車(chē)第4代中低壓SiC MOSFET芯片,為溝槽柵結構,采用窄線(xiàn)寬技術(shù),柵氧電場(chǎng)屏蔽技術(shù),內置柵極電阻。芯片具有低比導通電阻,高開(kāi)關(guān)頻率,高可靠性,高魯棒性等特點(diǎn);

  • 中車(chē)第3.5代中低壓SiC MOSFET芯片,為精細平面柵結構,采用高可靠性柵氧技術(shù),短溝道技術(shù),內置柵極電阻。芯片具有低溫度系數,高開(kāi)關(guān)頻率,低開(kāi)關(guān)損耗等特點(diǎn);

  • 中車(chē)第2代高壓SiC MOSFET芯片,采用平面柵結構,高耐壓終端技術(shù),芯片內置柵電阻;芯片具有低開(kāi)關(guān)損耗,高工作頻率的特點(diǎn)。

產(chǎn)品參數:

擊穿電壓(V) 750-3300
正向電流(A) 30-175
運行結溫(℃) -40-175

應用:

高壓SiC MOSFET芯片適用于軌交領(lǐng)域。

中低壓SiC MOSFET適用于新能源汽車(chē)、充電樁、OBC等領(lǐng)域。

SiC器件和模塊

簡(jiǎn)介:

  • 中車(chē)SiC模塊采用中車(chē)第3.5代精細平面柵SiC MOSFET,具有低開(kāi)關(guān)損耗,高工作結溫,低導通電阻等特點(diǎn),配合銀燒結、銅線(xiàn)鍵合等先進(jìn)互連封裝工藝,產(chǎn)品具備足夠的魯棒性。涵蓋750V至3300V電壓范圍,適用于電動(dòng)汽車(chē)及軌道交通領(lǐng)域。

產(chǎn)品參數:

額定電壓(V) 750-3300
額定電流(A) 40-1000
工作結溫(℃) 150-200

應用:

軌交、電網(wǎng)、新能源汽車(chē)主驅、OBC、充電樁。

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